EG2125 是屹晶微电子EGmicro推出的600V 高压全桥双半桥栅极驱动芯片SSOP‑24 封装芯片内部集成两路独立比较器原生支持过流保护单颗芯片即可驱动完整 H 桥功率拓扑广泛应用于国产逆变电源、电机控制器、高压 D 类功放等场景是面向工业高压功率变换的国产驱动方案。一、核心特性总览1.高压悬浮驱动高端自举悬浮耐压600V单路 VCC 供电 10‑25V仅需一路电源配合自举二极管、自举电容驱动上桥 N 沟道 MOS 管。2.内置双路比较器每一路半桥配套一组 CINP、CINN 比较输入引脚用于外部电流采样实现过流检测比较器失调电压最大 10mV输入范围 0.1V~VCC屹晶微电子...。3.逻辑电平兼容支持 3.3V /5V MCU 逻辑输入HIN、LIN 引脚内置 250kΩ 下拉电阻输入悬空自动关闭驱动输出防止 MOS 管误开启提升系统安全性。4.驱动电流能力拉电流 0.8A灌电流 1.3A图腾柱输出适合驱动中功率 MOSFET 栅极最高开关频率可达500kHz满足高频开关电源、D 类功放需求。5.多重保护机制VCC 低端电源、VB 自举电源双路欠压锁定保护欠压时封锁驱动输出SD1、SD2 独立通道关断引脚低电平有效强制关闭对应半桥 HO、LO 输出内部逻辑闭锁禁止同一半桥上下管同时导通规避直通烧毁功率管风险两路独立比较器可外接采样电阻故障时触发保护关闭驱动输出。6.时序参数25℃VCC15VCL10nF开通延时 Ton 典型 220ns关断延时 Toff 典型 200ns输出上升时间 Tr 典型 350ns下降时间 Tf 典型 140ns高低侧 HO、LO 时序参数高度匹配利于控制死区时间。7.环境与封装工业温度‑40~125℃SSOP‑24 无铅无卤符合 RoHS 标准。二、内部架构与引脚解读内部框图芯片包含两组完全独立的半桥驱动单元每组单元包含逻辑输入、SD 关断控制、欠压保护、电平位移、脉冲滤波、图腾柱驱动外加一组比较器单元。两组半桥共用 VCC、GND 电源各自拥有独立自举引脚 VBx、VSx独立 SD 关断、独立比较器输入实现H 桥双半桥驱动。关键引脚分组分组引脚功能通道 1 半桥驱动HIN1、LIN1高低侧逻辑输入高电平有效HO1、LO1 栅极驱动输出VB1、VS1 第一路桥臂自举电源与悬浮地SD1 通道 1 关断低电平有效CINP1/CINN1 通道 1 比较器正负输入端通道 2 半桥驱动HIN2、LIN2第二路桥臂逻辑输入HO2、LO2 驱动输出VB2、VS2 第二路桥臂自举SD2 通道 2 关断CINP2/CINN2 通道 2 比较器输入电源VCC、GND芯片供电 10‑25V功率地NC8、9、20、21悬空不可接线逻辑真值表SD 为高电平使能状态SDHINLINHO 输出LO 输出说明0XX00SD 低电平强制全部输出关闭10000上下管全部关断11010上管导通下管关闭10101下管导通上管关闭11100芯片闭锁禁止上下管同时导通输出全部关闭重点当 HIN 与 LIN 同时为高芯片内部闭锁电路直接封锁 HO、LO硬件层面防止桥臂直通无需软件严格控制死区但实际设计依然需要软件预留死区时间降低损耗与噪声。三、典型应用电路与关键设计要点典型拓扑一颗 EG2125 驱动 4 颗 N 沟道 MOS组成完整 H 桥全桥电路。两路半桥分别对应 OUT1、OUT2 输出每路桥臂配置自举二极管 D、自举电容 C完成高端悬浮供电。比较器引脚外接采样电阻信号实现过流检测SD 引脚可以由 MCU 或者比较器输出控制故障关断。1、自举电路设计VB‑VS自举二极管建议选用高压快恢复二极管如 FR107自举电容容量取决于开关频率频率越高电容可以选小一般选用 0.1μF‑1μF 耐压≥100V 电容。 工作逻辑下管导通时VCC 通过二极管给自举电容充电上管导通时电容充当悬浮电源给高端驱动电路供电。注意 VS 引脚电位会跟随功率输出摆动 0~600V自举器件耐压必须留足余量。2、电源 VCC 设计VCC 推荐工作电压 12‑18V给 MOS 栅极提供足够驱动电压VCC 引脚就近并联高频陶瓷旁路电容抑制高频噪声。芯片地和 MCU 数字地共地。 欠压阈值VCC 开启电压典型 8.4V关断 7.9VVB 自举电源开启 7.8V关断 7.3V当供电电压跌落至阈值以下芯片自动封锁输出避免 MOS 管驱动不足进入放大区烧毁器件屹晶微电子...。3、过流保护实现芯片内部仅提供比较器没有内置参考电压保护逻辑需要外部电路配合功率回路低端串联采样电阻将电流转化为电压信号送入 CINPCINN 接入外部基准电压设定过流阈值比较器输出接到 SD 引脚一旦采样电压超过基准比较器翻转拉低 SD立刻关闭整路半桥输出实现硬件快速过流保护。优势保护动作硬件完成不依赖 MCU 响应速度适合电机堵转、输出短路保护场景。4、逻辑输入注意事项HIN/LIN 内部 250k 下拉MCU IO 悬空时芯片自动关闭输出逻辑高电平阈值 2.5V低电平阈值 1V可直接对接 3.3V/5V 单片机 IO无需额外电平转换。四、应用场景逆变电源、UPS 后备电源单相逆变 H 桥后级驱动电机驱动变频水泵、电动车控制器、无刷电机 H 桥驱动高压 D 类音频功放大功率音频功率变换高频开关电源全桥变换器功率管驱动。五、优势与局限分析核心优势单芯片实现完整 H 桥驱动对比两颗独立半桥芯片简化 BOM缩小 PCB 面积自带两路比较器无需外置比较器芯片做过流检测降低器件数量硬件闭锁、欠压、SD 硬件关断多重保护工业场景可靠性高国产芯片供货稳定性价比突出对标需要两颗 IR2113 实现 H 桥的方案。设计局限输出驱动电流 0.8A/1.3A适合中小功率 MOS超大功率 MOS 需要增加栅极驱动缓冲比较器无内置参考源过流保护需要外部搭建基准SSOP‑24 引脚较多布板需要注意高压 VS/VB 走线与低压逻辑走线隔离防止高压串扰击穿逻辑部分。六、设计建议PCB 布局严格分开高压功率区域与低压逻辑区域VS、VB 高压走线远离 HIN/LIN/SD 等逻辑引脚自举二极管优先快恢复不建议普通整流二极管自举电容靠近 VB‑VS 引脚VCC 旁路电容紧邻芯片 7 脚 VCC 与 18 脚 GND虽然芯片自带防直通闭锁PWM 软件依旧需要设置死区时间减少开关损耗做过流保护时可在比较器输入端增加 RC 滤波抑制尖峰干扰避免误保护。